磁芯功耗（铁损）的核心来源是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗，而磁芯材料的特性正是通过直接影响这三类损耗来决定功耗水平。其中，对降低功耗影响最大的特性可归纳为五大核心，且不同特性对应不同损耗类型的抑制重点，具体如下：
一、饱和磁通密度（Bs）：避免磁芯饱和的 “第一道防线”
饱和磁通密度是材料在一定磁场下能承受的最大磁通密度，超过此值后，磁芯会进入 “饱和状态”—— 此时磁导率急剧下降，磁滞回线面积大幅扩大，磁滞损耗会呈指数级飙升（可能增加 10 倍以上），同时还会诱发严重的涡流损耗。
对降低功耗的关键影响：
若材料 Bs 低于电机实际工作的最高磁通密度（Bm），即使其他特性优异，也会因饱和导致功耗失控；反之，选择 Bs 略高于 Bm（通常预留 0.2T 以上安全余量）的材料，能确保磁芯始终工作在 “非饱和区”，从根源上避免额外损耗。
典型场景：工频电机（Bm≈1.5T）需选 Bs≥1.7T 的无取向硅钢片，若误选 Bs=1.2T 的非晶合金，会因饱和导致功耗翻倍。
二、电阻率（ρ）：抑制高频涡流损耗的 “核心指标”
涡流损耗是交变磁场在磁芯内部感应出 “涡流”（环形电流）产生的焦耳热，其大小与材料电阻率成反比，与工作频率平方成正比—— 频率越高，电阻率对涡流损耗的影响越显著（高频场景下，电阻率甚至决定了 80% 以上的总损耗）。
对降低功耗的关键影响：
低频场景（<500Hz，如工频电机）：涡流损耗占比低，对电阻率要求宽松（如硅钢片 ρ=40-150μΩ・cm 即可）；
高频场景（>1kHz，如伺服电机、汽车电机）：必须选高电阻率材料 —— 例如纳米晶合金（ρ=400-600μΩ・cm）的涡流损耗仅为硅钢片（ρ=80μΩ・cm）的 1/5，而软磁铁氧体（ρ>10⁶μΩ・cm）几乎能完全抑制超高频（>20kHz）涡流。
本质逻辑：高电阻率能增大涡流的 “电阻”，根据焦耳定律（Q=I²Rt），在相同感应电动势下，电流 I 大幅减小，最终降低热损耗。
三、磁滞回线面积：决定低频磁滞损耗的 “直接因素”
磁滞损耗是磁畴在交变磁场中 “反复翻转” 时，克服内部阻力消耗的能量，其大小与材料磁滞回线的面积成正比（回线面积越小，磁畴翻转阻力越小，损耗越低）。而磁滞回线面积的核心影响因素是材料的矫顽力（Hc） —— 矫顽力越小，回线越 “瘦窄”，面积越小。
对降低功耗的关键影响：
低频场景（<500Hz，如工频电机）：磁滞损耗是总损耗的主要组成部分（占比 60% 以上），此时需优先选低矫顽力、小磁滞回线面积的材料。例如，高牌号无取向硅钢片（如 35W250）的矫顽力仅 15A/m，磁滞损耗比普通硅钢片低 30%；
工艺关联：材料的内应力会增大矫顽力（如非晶合金带材），通过真空退火消除应力后，磁滞回线面积可缩小 20%-40%，进一步降低损耗。
四、居里温度（Tc）：高温工况下维持低损耗的 “保障”
居里温度是材料从 “铁磁性” 转变为 “顺磁性” 的临界温度 —— 当磁芯工作温度接近或超过 Tc 时，磁导率会急剧下降，磁滞回线面积大幅扩大，磁滞损耗和涡流损耗均会显著增加；即使未达 Tc，高温也会导致磁畴稳定性下降，剩余损耗（如磁畴弛豫损耗）上升。
对降低功耗的关键影响：
常温场景（<100℃，如家用电机）：对 Tc 要求宽松（如软磁铁氧体 Tc=150℃即可）；
高温场景（>150℃，如汽车驱动电机、工业高温电机）：必须选高 Tc 材料。例如，高硅硅钢片（Tc=700-730℃）、铁基非晶合金（Tc=350-450℃）能在 150-200℃下稳定工作，而低 Tc 的锰锌铁氧体（Tc=120℃）在此温度下会因磁性能衰减导致损耗增加 50% 以上。
五、磁导率（μ）：高频场景下优化损耗分布的 “辅助关键”
磁导率是材料 “导磁能力” 的指标，分为初始磁导率（μi）和最大磁导率（μm）。高磁导率材料在相同磁通需求下，所需的励磁磁场更小，可减少磁畴翻转的 “强度”，间接降低磁滞损耗；同时，高磁导率能降低磁芯的磁阻，减少磁场畸变，从而抑制局部涡流集中（避免局部涡流损耗过高）。
对降低功耗的关键影响：
高频精密场景（如伺服电机、滤波磁芯）：高磁导率材料（如纳米晶合金 μm=8×10⁴）能在低励磁电流下实现高磁通密度，既降低励磁损耗，又避免因励磁不足导致的磁通波动（波动会增加额外损耗）；
注意边界：磁导率并非越高越好 —— 过高的磁导率可能导致材料在低频高磁通下更容易饱和（需与 Bs 协同匹配），反而增加损耗。